[중부매일 이완종 기자] SK하이닉스가 생산성을 높이고 전력소비를 줄인 2세대 10나노급 D램을 개발했다고 12일 발혔다.

이번에 개발된 제품은 전력 소비를 15% 이상 감축해 업계 최고 수준의 전력 효율도 갖췄다. 데이터 전송 속도 또한 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3천200Mbps까지 안정적인 구현이 가능하다.

이 제품은 데이터 전송 속도 향상을 위해 '4Phase Clocking' 설계 기술을 적용했다. 이는 데이터 전송 시 주고 받는 신호를 기존대비 두 배로 늘려 제품의 동작 속도와 안정성을 향상시킨 기술로 고속도로 톨게이트의 요금 정산소를 늘려 차량의 통행을 원활히 하는 것과 같다.

또 전력소비를 줄이고 데이터 오류발생 가능성을 낮추기 위해 독자적인 '센스 앰프(Sense Amp) 제어 기술'도 도입했다. 이 기술은 D램 셀에 작은 전하 형태로 저장되어있는 데이터를 감지하고 증폭시켜 외부로 전달하는 '센스 앰프'의 성능을 강화하는 기술이다.

특히 공정이 미세화될수록 트랜지스터의 크기가 줄어들어 데이터 감지 오류 발생 가능성이 높아지는 문제를 극복하기 위해 트랜지스터의 구조를 개선해 오류 발생 가능성을 낮췄다.

아울러 데이터 증폭·전달 기능을 하는 회로에 전력 소모가 낮은 내부 전원을 추가해 동작에 필요한 만큼의 전력만을 공급함으로써 불필요한 전력 사용을 방지했다.

김석 D램마케팅담당 김석 상무 "이번에 개발 완료된 2세대 10나노급 제품은 고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품으로 내년 1분기부터 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응 할 것"이라고 말했다.

한편 SK하이닉스는 PC와 서버 시장을 시작으로, 모바일 등에 2세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해 나갈 방침이다.