반도체 집적회로에 사용될 수 있는 '초저유전체' 개발

홍석모 씨
홍석모 씨

[중부매일 서인석 기자] 중원대학교(총장 김두년)는 신소재공학과 10학번 졸업생인 홍석모(UNIST 박사과정 연구원)씨가 제1 저자로 UNIST 자연과학부 신현석 교수팀과 삼성전자 종합기술원, 영국 캠브리지 대학을 포함하는 국제 공동 연구진이 반도체 집적회로에 사용될 수 있는 '초저유전체'를 개발, 세계적 권위의 학술지인 '네이처(Nature)'에 게재했다고 10일 밝혔다.

이번 연구는 한국연구재단과 기초과학연구원(IBS), 삼성전자의 지원으로 연구되었다.

연구내용은 현재 반도체산업의 문제점으로 논의되는 문제 중 반도체 소자 안의 전극이 가까워질수록 내부 전기 간섭 현상이 심해지고 신호전달 속도가 느려지는 문제점을 개선할 유전체를 발견했다는 것에 의미가 있다. 전기 간섭을 최소화한 낮은 유전율의 신소재 개발은 반도체 한계를 극복할 수 있는 핵심기술로 꼽힌다.

제1 저자인 홍석모 연구원은 "낮은 온도(400℃)에서 육방정계 질화붕소가 기판에 증착되는지 연구하던 중 '비정질 질화붕소'를 발견했고, 삼성전자와의 공동연구를 통해 반도체 절연체로서 적용 가능성을 확인 했다"며 "이 물질처럼 유전율이 낮은 절연체를 이용하면 반도체 칩의 전력 소모를 줄이고 작동 속도는 높일 수 있어 미래 반도체의 소재로 적합할 것"이라고 설명했다.

또한 "먼저 제가 연구에 관심을 가지고 대학원까지 올 수 있는 계기를 만들어 주신 중원대 신소재공학과 최용호 교수님께 감사드린다"며 "학부 시절부터 지도교수님과 적극 소통하며, 학부 연구생의 기회를 통해 연구에 흥미를 가지게 되었고, 자연스럽게 대학원 진학에 관심을 가지게 됐다"고 전했다.

학부시절 지도교수인 최용호 교수는 "우리 학교 졸업생이 훌륭한 결과를 만들어 교육자로서 큰 보람을 느끼고 홍석모 학생이 매우 자랑스럽다"며 "후배들도 주어진 환경에 최선을 다할 수 있도록 또한 앞으로도 좋은 결실을 이룰 수 있도록 학생 지도에 최선을 다하겠다"고 말했다.

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