하이닉스, 세계 첫 44나노 D램 개발
올 3분기부터 양산에 들어갈 예정인 이 제품은 미국 인텔의 규격과 호환성을 만족하는 제품으로 모듈 제품의 인증을 위한 실험도 조만간 인텔에 의해 진행될 예정이다.
하이닉스가 개발인 44나노 공정을 적용한 1기가비트 DDR3 D램은 현재 양산중인 54나노 공정 대비 약 50% 이상 생산성이 향상된 제품으로 현재 극심한 불황에 시달리고 있는 세계 반도체 시장이 회복될 경우 하이닉스의 시장 지배력을 높일 수 있는 주력상품이 될 것으로 보인다.
하이닉스는 이 제품이 3차원 트랜지스터 기술로 누설 전류를 제어해 전력 소비를 최소화하면서도 업계 최고 수준의 동작속도를 확보했다고 밝혔다.
하이닉스는 3분기에 40나노급 DDR3 양산에 들어가고, 2010년부터는 다양한 용량의 DDR3 제품을 본격 생산할 계획이다.
지난해 처음 시장에 등장한 DDR3는 DDR2보다 다양한 전압 선택이 가능하다. 동작 속도도 빨라 2010년 상반기께 D램 산업의 주력 제품으로 부상할 것으로 보이는 차세대 D램이다.
이 제품이 지원하는 최대 속도는 향후 차세대 DDR3의 표준 속도가 될 것으로 예상되는 2천133Mbps(초당 2천133Mb 데이터 처리)이며, 다양한 전압을 지원하는 것이 특징이라는 것이 회사관계자의 말이다.
하이닉스는 올 3분기에 44나노 공정을 적용한 DDR3 제품 양산을 시작하고, 2010년부터는 다양한 용량의 DDR3 제품을 대규모로 양산할 계획이다.
또 DDR3 제품의 초고속 동작과 저소비 전력 특성을 강화해 대용량 메모리 모듈, 모바일 D램, 그래픽 D램에 확대 적용할 예정이다.
한편 하이닉스는 40나노급 공정으로 세계 최초로 DDR3 제품을 개발해 기술력을 다시 한번 확인하게 됐으며, 향후 수요가 급증할 것으로 기대되는 DDR3 시장에서 경쟁사 대비 한 세대 앞선 공정기술을 적용한 차별화된 제품으로 시장을 선도할 수 있을 것으로 기대하고 있다. / 강종수
■ 용어해설
◆ 비트(소문자 표기 b)= 메모리가 기억하는 정보의 최소단위로, 이진법의 한 자리수로 표현된다.
◆ 바이트(대문자 표기 B)= 정보를 표현하는 기본 단위로, 8개 비트를 묶어 바이트라고 한다.
◆ 3차원 트랜지스터= 트랜지스터는 전류가 흐르는 일정 길이가 확보되어야 안정적으로 동작할 수 있는데, 나노급 제품에서 필요한 트랜지스터 길이를 확보하기 위해 실리콘 표면을 깎아내어 전류가 움푹 패인 표면을 따라 흐르게 만든 트랜지스터를 3차원 트랜지스터라고 한다.< /FONT>
강종수 기자
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