하이닉스, '세계 최초' 40나노급 2Gb 모바일 D램 개발
하이닉스, '세계 최초' 40나노급 2Gb 모바일 D램 개발
  • 중부매일
  • 승인 2010.01.13 09:40
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하이닉스반도체가 세계 최초로 40나노급 2기가비트(Gb) 모바일 D램을 개발했다. 모바일 D램은스마트폰이나 스마트북, 태블릿PC 등 화제로 떠오르고 있는 차세대 애플리케이션에 지원 가능하다.

하이닉스반도체는 세계 최초로 40나노급 기술을 적용해 모바일 D램 제품인 2Gb LPDDR2(Low Power DDR2)를 개발했다고 13일 밝혔다.
이는 40나노급 초미세 공정이 적용된 고용량 제품이다. 특히 전력 소비가 기존 모바일 제품인 LPDDR의 50% 수준, PC DDR2 제품의 30% 수준에 불과해 MP3플레이어나 휴대전화 등 장시간 휴대하는 제품에 적합하다.

또 최대 1066Mbps의 데이터 전송 속도를 구현할 수 있어 32개의 정보입출구(I/O)를 통해 싱글 채널의 경우 초당 최대 4.26기가바이트(GB), 듀얼 채널의 경우 8.52GB의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 보통 영화 5~6편을 1초에 내려 받을 수 있는 속도다.

싱글 채널이란, 메모리를 동작시키는 명령어 및 데이터 경로가 하나인 경우다. 듀얼 채널이란, 메모리를 동작시키는 명령어 및 데이터 경로가 두개로, 각각 독립적으로 동작하는 경우다.

특히, 이번 제품은 업계 최대 이슈로 떠오르고 있는 스마트폰(Smartphone)과 스마트북 (Smartbook), 태블릿 PC(Tablet PC) 등의 다양한 차세대 애플리케이션에 지원이 가능하다. 국제반도체표준협의 기구(JEDEC) 규격을 만족하는 이 제품은 올해 상반기부터 양산된다.

하이닉스반도체는 "범용 D램의 생산을 최소화하고, 모바일 D램 등 고부가가치 제품의 생산을 증가시키고 있다"며 "올해 전 세계 모바일 D램 시장에서 30% 이상 달성하는 것을 목표로 하고 있다"고 밝혔다.

한편 시장조사기관 아이서플라이에 따르면, 지난해부터 오는 2013년까지 모바일 D램 시장은 연평균 32.3%씩 급성장할 것으로 전망된다. 휴대전화의 모바일 D램 채용률는 지난해 66% 수준에서 오는 2012년 80%까지 성장할 것


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