하이닉스, 80나노 DDR2 D램 인증 획득
하이닉스, 80나노 DDR2 D램 인증 획득
  • 양승갑 기자
  • 승인 2006.03.13 19:20
  • 댓글 0
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하이닉스반도체는 업계 최초로 80나노 초미세 공정 기술이 적용된 DDR2 D램에 대해 美 인텔사의 인증을 받았다고 13일 밝혔다.

이번에 인증을 받은 제품은 PC, 노트북, 서버 등에 사용되는 80나노 512Mb(메가비트) DDR2 D램으로 1.8V의 동작전압에서 667Mbps와 800Mbps의 동작속도를 구현할 수 있는 제품 두 종이다.

80나노 D램은 현재까지 동작 성능에 대한 공식적인 인증을 받은 D램 중 가장 미세한 공정이 적용된 제품이다.

하이닉스반도체는 업계 최초로 80나노 DDR2 D램에 대해 PC용 마이크로프로세서 시장을 주도하고 있는 인텔사의 인증을 받게 됨으로써 D램 업계에서 첫번째로 이 제품의 동작 성능을 대내외적으로 공식 인정받게 되었으며, 최첨단 반도체 제조 기술과 미세회로 공정 기술에 대한 앞선 기술력을 다시 한 번 입증하게 되었다고 밝혔다.

이번에 인증을 받은 80나노 DDR2 제품은 이전 공정 기술을 적용한 제품 대비 생산성이 1.48배 증가되어 원가 경쟁력이 크게 향상되는 효과를 가져올 것으로 보이며, 이 제품은 3차원 트랜지스터 구조가 적용되어 리프레시 타임(재충전 시간)이 개선되고 전력소모가 줄어드는 등 기존의 나노급 제품에 비해 보다 안정적인 동작 특성을 갖는다.

하이닉스반도체는 올해 2분기부터 이번에 인증을 받은 제품의 양산 작업에 들어갈 예정이다.

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