최첨단 '웨이퍼 레벨 패키지' 기술 적용
특히 이번에 개발된 모듈은 기존의 웨이퍼 레벨 패키지 방식을 적용한 타제품보다 외부 충격내성과 열 발생 문제를 보완하여 보다 안정적인 동작이 가능하고 열방출 특성이 월등히 강화된 특징이 있다.
웨이퍼 레벨 패키지 기술이란 웨이퍼 가공 후 하나하나 칩을 잘라내 패키징하던 기존의 방식과는 달리, 웨이퍼 상태에서 한번에 패키징 공정을 행한 후 칩을 절단하여 간단히 완제품을 만들어 내는 기술이다.
기존에는 하나의 반도체를 만들기 위해 가공이 끝난 웨이퍼에서 칩을 잘라낸 후 기판에 부착하여 일일이 회로를 연결하고 플라스틱을 씌워 패키지를 형성했다.
그러나 웨이퍼 레벨 패키지 공정에서는 웨이퍼에 구현된 칩 위에 절연물질을 덮고 배선 연결 등의 공정을 거쳐 간단히 패키징을 끝내기 때문에, 공정의 효율성을 높였을 뿐만 아니라 소형화된 패키지를 제작하기에 용이하다.
하이닉스반도체는 "웨이퍼 상태에서 한번에 대량의 칩을 패키징할 수 있어 기존 패키지 방식보다도 20% 이상 생산원가를 절감할 수 있다. 또한 외부연결용 배선 길이가 짧아져 동작 속도가 향상되어 고속의 데이터 처리를 요하는 제품에 적합하다"고 말했다. / 양승갑
양승갑 기자
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