개발 7개월만 공급 시작… 최고 성능 AI 구현 기대
"글로벌 1위 AI 메모리 기술 및 비즈니스 경쟁력 공고히 할 것"

SK하이닉스 HBM3E 제품 사진.   /SK하이닉스
SK하이닉스 HBM3E 제품 사진. /SK하이닉스

[중부매일 이성현 기자] SK하이닉스가 HBM 5세대 HBM3E D램에서도 AI 메모리 선도 기업의 위상을 공고히 한다.

SK하이닉스는 19일 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM3E를 세계 최초로 양산해 3월 말부터 제품 공급을 시작한다고 19일 밝혔다.

지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만에 이룬 성과다.

고대역폭메모리라는 뜻을 가진 HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품이다. HBM3의 확장버전인 HBM3E는 초당 최대 1.15TB(테라바이트) 이상 데이터를 처리할 수 있다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 230편 이상 분량 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다.

SK하이닉스는 "HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E 역시 가장 먼저 고객에 공급하게 됐다"며, "HBM3E 양산도 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서의 경쟁우위를 이어 가겠다"고 밝혔다.

엄청난 양의 데이터를 빠르게 처리해야 하는 AI 시스템을 구현하기 위해서는 수많은 AI 프로세서와 메모리를 다중 연결(Multi-connection)하는 식으로 반도체 패키지가 구성돼야 한다.

따라서 AI에 투자를 늘리고 있는 글로벌 빅테크 기업들은 AI 반도체 성능에 대한 요구 수준을 계속 높여가고 있으며, HBM3E는 이를 충족시켜줄 현존 최적의 제품이 될 것으로 SK하이닉스는 기대하고 있다.

이와 함께, SK하이닉스 기술진은 이번 제품에 어드밴스드 MR-MUF(반도체 칩을 회로에 부착하고 칩을 위로 쌓아 올릴 때 칩과 칩 사이 공간을 '에폭시몰딩컴파운드(EMC)'라는 물질로 채워주고 붙여주는 공정) 최신 기술을 적용해 제품의 열 방출 성능을 기존 대비 10% 향상시켰다.

특히휨 현상 제어(Warpage control)도 향상해 HBM 공급 생태계 내에서 안정적인 양산성을 확보하는 데 핵심이 되고 있다.

류성수 SK하이닉스 부사장(HBM Business담당)은 "당사는 세계 최초 HBM3E 양산을 통해 AI 메모리 업계를 선도하는 제품 라인업을 한층 강화했다"며, "그동안 축적해온 성공적인 HBM 비즈니스 경험을 토대로 고객관계를 탄탄히 하면서 '토털(Total) AI 메모리 프로바이더(Provider)'로서의 위상을 굳혀 나가겠다"고 말했다.

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