충북대 최중범 교수팀, 日기술 추월 세계 선두수준
충북대 최중범 교수 연구팀은 자체 개발한 10나노미터(nm)급 실리콘 단전자 소자(SET) 제작기술을 기반으로 세계 최초로 웨이퍼 상에 '낸드(NAND) 및 노어(NOR) 논리회로'를 집적하는 데 성공했다고 16일 밝혔다.
기존 CMOS(상보형 금속 산화막 반도체)회로는 0 또는 1이라는 입력값에 의해서만 연산이 가능하고, 4가지 기본논리를 수행하기 위해서는 별도의 회로를 필요로 했으나 이번에 개발된 단전자 낸드.노어회로는 한 개의 회로에 0, 1, 2, 3 이라는 다중치의 입력값으로 연산과 4가지의 기본 논리를 수행할 수 있어 집적도를 크게 높였다고 최 교수는 설명했다. 10nm 이하의 테라급 집적회로에 기존의 CMOS를 이용하면 높은 소비전력으로 인해 동작회로의 온도가 태양의 표면온도까지 오르는 문제가 있었으나 다중치 로직회로는 소비전력을 획기적으로 줄여 기존 CMOS 회로의 한계를 극복할 수 있는 차세대 나노소자 회로의 하나로 주목받고 있다. 특히 이번 테라급 단전자 논리회로 기술은 우리나라가 취약한 비메모리 분야의 기술이어서 더 큰 의미를 갖고 있다.
이 기술은 메모리와 결합한 '시스템 온 칩(System On Chip)' 등 차세대 반도체 신기술에 적용할 수 있어 다기능 초저전력 중앙처리장치(CPU), 모바일 통신기기 등 새로운 나노소자 시장을 창출할 것으로 기대되고 있다.
박재광 기자
jkpark8617@jbnews.com