하이닉스반도체
보통 D램의 기억 소자는 트랜지스터와 캐패시터로 구성되는데 비해 Z램은 캐패시터 없이 트랜지스터로만 구성되어 있어 제품 크기는 물론 생산 비용까지 획기적으로 줄일 수 있을 것으로 기대되는 차세대 메모리 반도체이다.
이번 계약에 따라 하이닉스반도체는 D램 업체로는 최초로 이노베이티브 실리콘社로부터 Z램에 대한 라이센스를 취득하여 제품 개발을 진행하게 된다. 두 회사는 또한 양사의 연구 인력을 공동 투입해 제품 개발에 협력하기로 했다.
D램 내부의 각 기억소자는 전하를 담는 역할을 하는 캐패시터와 캐패시터를 여닫는 스위치 역할을 하는 트랜지스터로 이루어져 있으며, 캐패시터가 전하를 담고 있으면 1, 전하를 담고 있지 않으면 0으로 처리되는 방식으로 데이터를 저장한다.
Z램은 실리콘 온 인슐레이터 구조를 이용하여 제작된 트랜지스터가 동작할 때 트랜지스터 내부에 불필요한 양전하가 쌓이는 단점을 역이용하여 이를 0과 1상태를 표현하는 것으로 이용한다는 개념을 활용, 별도의 캐패시터 없이도 데이터의 저장이 가능한 기술이다.
이에 따라 기억 소자가 차지하는 크기가 크게 줄고 구조도 간단해져 제품 미세화나 고용량화에도 유리해질 뿐만 아니라 제작 비용 또한 줄어드는 장점을 가진다.
한편 하이닉스반도체 관계자는 2017년 세계 1위의 기업가치와 기술력을 보유한 세계 최고의 반도체 전문회사가 되는 것을 목표로 R&D 분야에 역량을 집중하고 있다고 밝혔다.
양승갑 기자
yangsk@jbnews.com